Количество ранков оперативной памяти что это

Словарь терминов: Оперативная память

Описания параметров категории Оперативная память

Общие характеристики

Тип
Тип оперативной памяти, который определяет главные характеристики памяти и внутреннюю структуру. Сегодня выпускается пять главных типа оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ. Плюсы по сравнению с памятью более старших поколений: синхронизация с системным генератором, это дает возможность контроллеру памяти знать конкретное время готовности данных, с помощью этого новшества временные задержки в процессе циклов ожидания снижаются из-за того, что данные свободны для доступна во время каждого такта таймера. Раньше SDRAM активно применялась в компьютерах, однако в настоящее время почти полностью вытеснена DDR и DDR2.
DDR SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ и характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации. Плюсы DDR SDRAM перед SDRAM: за один такт системного генератора возможно проведение двух операций с информацией, что увеличивает в два раза пиковую пропускную способность при работе на одинаковой частоте.
DDR2 SDRAM — следующее за DDR поколение памяти. Принцип работы подобен тому, что применяется в DDR. Отличие: имеется возможность выборки за один такт 4-х бит данных (для DDR производится 2-х битная выборка), увеличена рабочая частота, снижено энергопотребление модулей памяти, снижено тепловыделение.
DDR3 SDRAM – следующее DDR2 SDRAM поколение памяти, применяется та же технология «удвоения частоты». Главное отличие от DDR2: возможность работать на большей частоте. Модули DDR3 имеют в наличии 240 контактных площадок, однако они несовместимы со старыми слотами, так как применяются другие ориентирующие прорези («ключи»).
RIMM (Rambus DRAM, RDRAM) – это разработанная фирмой Rambus синхронная динамическая память. Главные отличия от DDR-памяти: увеличение тактовой частоты путем снижения разрядности шины, одновременная передача при обращении к памяти номера столбца и строки ячейки. RDRAM стоит значительно дороже DDR, причем при аналогичной производительности, это привело к тому, что данный тип памяти почти полностью покинул рынок.
Определяясь с типом памяти, ориентируйтесь в первую очередь на возможности материнской платы вашего компьютера, а также на ее совместимость с разными модулями памяти.

Форм-фактор
Стандарт модуля оперативной памяти. Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Бывает несколько абсолютно несовместимых стандартов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM — на модулях памяти этого стандарта зачастую располагаются 72 или 30 контактов, каждый из этих контактов оснащен выходом на две стороны платы памяти.
DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти.
DDR2 FB-DIMM — модули памяти этого стандарта применяются в серверах. Механически они подобны модулям памяти DIMM 240-pin, однако совершенно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти Registered DDR2 DIMM и DDR2 DIMM.
SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в Tablet PC и ноутбуках. Чаще всего имеет 72, 144, 168, 200 контактов.
MicroDIMM – один из вариантов DIMM для субноутбуков и ноутбуков. Габариты имеет меньше, чем SODIMM, характеризуется наличием 60 контактных площадок.
RIMM — стандарт для модулей памяти типа RIMM (RDRAM), характеризуется наличием 184, 168 или 242 контактов.
Стандарт модуля оперативной памяти и стандарт, который поддерживает материнская плата, должны совпадать.

Объем одного модуля
от 0.03125 до 128 Гб
Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 512 Мб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит 2 Гб (2048 Мб) памяти системы.

Количество модулей
от 1 до 16
Число продающихся в наборе модулей памяти. Встречаются в продаже не только одиночные планки, но и комплекты, в комплекте может быть два модуля, четыре, шесть, восемь, все они имеют идентичные характеристики и подобранны для работы в двухканальном режиме (в паре). Применение такого двухканального режима позволяет добиться ощутимого увеличения пропускной способности, и, как следствие, увеличения скорости работы приложений. Нужно сказать, что то, что вы купили два модуля одного производителя, имеющие одинаковые характеристики, вовсе не означает то, что они смогут работать в двухканальном режиме. По этой причине, если материнская плата вашего компьютера способна поддерживать двухканальный режим работы памяти, то вам следует обратить свое внимание на комплекты, состоящие из нескольких модулей, если для вас, конечно, важна высокая скорость работы графических и игровых приложений.

Количество контактов
от 144 до 288
Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).

Количество ранков
от 1 до 8
Число областей памяти (ранков) модуля оперативной памяти. Ранком называют область памяти, которая образована несколькими чипами или всеми чипами модуля памяти и имеет ширину, равную 64 бита. Модуль оперативной памяти, в зависимости от конструкции, может иметь один, два или четыре ранка. Выпускаемые сегодня серверные материнские платы характеризуются наличием ограничения на общее количество ранков памяти, к примеру, если может быть установлено максимально восемь ранков и уже установлено четыре двухранковых модуля, то установить дополнительные модули в свободные слоты уже не получится, т.к. их установка вызовет превышение лимита. Вот почему одноранковые модули стоят дороже, чем двух- и четырехранковые.

Тактовая частота
от 66 до 4800 МГц
Наименьшая частота системного генератора, по ней происходит синхронизация процессов приема и передачи информации. Для DDR, DDR2 и DDR3 памяти указывается удвоенное значение тактовой частоты (две операции с данными осуществляется за один такт). Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.

Пропускная способность
от 1600 до 38400 Мб/с
Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).

Поддержка ECC
Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.

Буферизованная (Registered)
Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.

Низкопрофильная (Low Profile)
Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.

Радиатор
Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.

Поддержка XMP
XMP (eXtreme Memory Profiles) – профиль содержащий данные о расширенных и нестандартных возможностях модуля оперативной памяти. По средствам BIOS компьютера на начальном периоде загрузки осуществляется переключение в режим разгона, без настраивания всех задержек работы вручную.

CL
от 2 до 22
CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.

tRCD
от 2 до 26
RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки.

tRP
от 2 до 26
Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т.е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки.

tRAS
от 5 до 52
Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти.

Дополнительная информация

Напряжение питания
от 1.2 до 3.3 В
Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение.

Производитель
Фирма-производитель установленных на модуле микросхем. Нередко фирмы-производители модулей памяти используют для выпуска своей продукции чипы стороннего производителя.

Количество
от 1 до 184
Число установленных на одном модуле памяти чипов. Находиться микросхемы могут с любой стороны и с обеих сторон платы.

Упаковка
Способ расположения на модуле памяти чипов. Выпускаются модули с односторонней и двусторонней упаковкой. Если на модуле микросхемы расположены с двух сторон, то модули имеют большую толщину, что препятствует их установке в некоторые системы.

Оперативная память подробно

Оперативная память или RAM (Random Access Memory) это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе — по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

DDR2 SDRAM – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

DDR3 SDRAM – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии — DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

DDR4 SDRAM — новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

Варианты физического расположения чипов (упаковка)

Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

Читать еще:  Что означает хэштег VSCOCAM

Форм-фактор это

Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

SIMM (Single in Line Memory Module) — 30 или 72 двухсторонних контакта;

RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном — ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте — 72 и 168.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов — 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память — созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

Что такое SPD?

На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

Ранки модуля памяти и их количество

Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним — если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае — 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты — при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

2R — двухранковый модуль

x8 — ширина шины данных на каждом чипе

т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

Тайминги и латентность

Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

Латентность, если коротко — задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра — «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря — запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

RAS Precharge Time (tRP) — определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

Частота передачи данных (Иначе — скорость передачи данных) — максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s).

Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает — пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный «контроль четности». Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

Буферизованная (регистровая) память

Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

Оперативная память подробно

Оперативная память или RAM (Random Access Memory) это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе — по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

DDR2 SDRAM – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

DDR3 SDRAM – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии — DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

DDR4 SDRAM — новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

Варианты физического расположения чипов (упаковка)

Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

Форм-фактор это

Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

SIMM (Single in Line Memory Module) — 30 или 72 двухсторонних контакта;

RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном — ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте — 72 и 168.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов — 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память — созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

Что такое SPD?

На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

Ранки модуля памяти и их количество

Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним — если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае — 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты — при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

2R — двухранковый модуль

x8 — ширина шины данных на каждом чипе

т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

Тайминги и латентность

Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

Латентность, если коротко — задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра — «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

Читать еще:  Нету панели управления Nvidia что делать

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря — запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

RAS Precharge Time (tRP) — определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

Частота передачи данных (Иначе — скорость передачи данных) — максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s).

Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает — пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный «контроль четности». Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

Буферизованная (регистровая) память

Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

Одноранговая и двухранговые память. Если ли разница?

Привет всем. Купил такую сборку —

Видюха palit gamerock 1080 8gb.

Уже после того как купил, заметил что оперативка одноранговая. Брал по принципу «бери самая дешевая, там ваще пофиг»

А щас полез копаться, оказалось что она одноранговая. Как я понял, для игр они ведь хуже примерно на 5-10% чем двухранговые, да?

Сильн критично это? А если ее хорошо разогнать? Это же вроде преимущество у одноранговых — разгон.

Изменить уже ничего нельзя, поэтому как мне компенсировать мой косяк?)

Одно и двухранговые ОЗУ
Доброго времени суток! :drink: Небольшой такой вопрос к вам, уважаемые знатоки/эксперты.

Есть ли разница,в какой разьем подключать память?
Представим ситуацию;материнка поддерживает 2 канальную память(DDR3).На процессоре стоит.

Упаковка и память. Разница скорости работы классов и структур
Если Int32 это структура и создается в стеке (никаких упаковок-распаковок), то почему тут на форуме.

Наследование: выделение память 2 способами — какая между ними разница
Доброй ночи! Целый год все было нормально, а этой ночью что-то случилось с моей головой. Я в.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Наконец-то нашёл адекватное объяснение одно- и двух рядных типов плат памяти. Везде пишут какой-то бред про две стороны, хотя только слепой не видит, что на обеих видах плат чипы с одной стороны. Где с двух сторон, мне не попадалось. Очевидно же, что речь идёт не о сторонах платы, а о принципе организации работы чипов.

А работоспособна ли система с двумя различными в этом плане платами памяти?

..вполне.
ранки памяти только расширяют адресный диапазон и всё.

не совсем так. по-очереди шиной пользуются только каналы памяти, но не ранки.
Внутри одного модуля, 64-битная шина-данных одна и по ранкам она разводится параллельно.

Контроллёр памяти соединяется с процем одной 64-битной шиной, но если этот контроллёр двуканальный, то от контроллёра к памяти, шина становится уже 128-битной — т.е. каждому каналу по 64-битной шине. Вот здесь-то они и чередуются..

В свою очередь, на каждый канал можно повесить только 16-чипов памяти! Это ограничение связано с разрядностью сигнала «ChipSelect» CS#[3:0], 4-мя битами которого можно адресовать только 16 м/схем памяти. У 1-ранковых модулей бит(3) будет всегда сброшен в нуль, а оставшимися 3-мя адресуются 8-чипов ‘SingleRank’ модуля. Чтобы увеличить общее кол-во чипов, нужно добавлять ещё контроллёры памяти.

Вот скрин из интеловского даташина MCH..
(SDQ[63:0] = шина-данных, SCS[3:0] = выбор одного из 16-ти чипов модуля):

А вот столбцы в глобальной матрице адресуются иначе.. Их нумерация так-же совпадает для всех чипов, но зато сам чип выбирается уже 4-битным сигналом(CS#). После выбора одного из 8-ми чипов, нумерация его столбцов опять начинается с нуля — детали здесь.

Организация ‘DualRank’ модулей ничем не отличается от ‘Single’ — разница только в четвёртом бите(3) сигнала(CS#), который позволяет выбрать уже следующие чипы 8-15 модуля памяти, расширяя таким образом доступную память. При этом шины-данных чипов 0/8, 1/9, 2/10 и т.д. соединяются между собой параллельно — это не создаёт неразберихи, т.к. в каждый момент времени операции R/W производятся только с одним из чипов, который активируется текущим сигналом(CS#) с контроллёра памяти.

В двуканальном режиме выигрыш в скорости достигается за счёт того, что контроллёр памяти может не дожидаясь окончания операции с одним каналом, начинать работать со-вторым, поскольку у него своя шина-данных (см.рис.выше). В одноканальном режиме приходится ждать окончания начатой транзакации, на что теряется время. Как-то так..

В памяти есть такое понятие, как «активное окно». Я не знаю, чьё конкретно это свойство — свойство отдельной микросхемы памяти, или свойство отдельного ранка. Но в любом случае две ранка памяти позволяют иметь в два раза больше активных окон. Соотвестственно, среднестатистически иметь чуть меньше ситуаций переключения активного окна, соответственно, тратить чуть меньше времени. Насчёт пары процентов сомневаюсь, по ощущениям эффект должен быть намного меньше

На моей памяти проводил эксперимент, когда две планки памяти ставил в один канал. На синтетическом тесте работало немного быстрее, чем вариант, когда установлена всего лишь одна планка. Причина по сути та же самая

4ori4or, это смотря в каком режиме проц читает память.
Раньше (DDR/DDR2) этих режимов было хоть-отбавляй, а сейчас оставили только два — пакетный и страничный, когда читается сразу вся/открытая страница.

Помимо запоминающей матрицы, каждый из 8-ми чипов имеет и свой/логический узел, который: защёлкивает принятый адрес, выделяет из него номер банка, переключает буферы на R/W и прочее. Если посмотреть на даташит, то чип состоит из 4-х узлов: логика, матрица, буфер и шинный-драйвер.

Когда 8-чипов собирают в ранк, то узлы всех чипов получаются соединёнными параллельно, превращаясь в: глобальную матрицу, один/большой буфер и мега-драйвер внешней шины. Соединяются все узлы, ..кроме логики, т.к. столбец выбирается отдельно и при пакетном чтении должен на автопилоте сдвигаться вправо.

Контроллёр первым посылает адрес-строки, но поскольку она глобальна, то указанная строка открывается сразу во-всех чипах глобальной матрицы. В это время, буквально все байты открытой строки сваливаются в глобальный буфер «SenseAMP», и по-приходу строба RAS# логика защёлкивает у себя принятый адрес-строки. В зависимости от типа применяемых чипов, размер буфера варьируется в диапазоне 4-8Kb, что соответствует одной странице виртуальной памяти.

Содержимое SenseAMP назвали «Активной страницей», т.к. именно с этого момента память становится доступной для чтения. В зависимости от режима работы контроллёра, он может взять с этой страницы: 1,2,4,8-байтов за-раз, 64-байтный пакет, или вообще всю страницу целиком (страничный обмен). Процедура чтения начинается с сигнала CAS#, который контроллёр посылается логике ранка. Причём стартовый байт выбирается уже не из глобальной матрицы, а из буфера, ..от куда данные передаются к шинному драйверу и на выход.

В свою очередь, линий передачи от буфа к дрову тоже может быть несколько: у DDR их две, для DDR2 их уже 4, DDR3 наградили аж 8-ми линиями передачи, а DDR4 вообще 16. По сути этим и отличаются поколения памяти — линиями передачи, которые задаёт 2 n -prefetch (где n — тип памяти, например DDR3 = 2 3 = 8 линий). Там есть мультиплексор на соответствующее число входов от буфера, и 1 выход к драйверу. Только теперь в игру вступает понятие DDR как-таковое — передача по обоим фронтам синхроимпульса по внешней шине.
——————————————

На первый взгляд всё хорошо — данных в буфере много (вся/активная страница). Только есть проблемка! Данные не могут храниться в буфере вечно, и их нужно перезаряжать, что известно как регенерация. Поэтому по-истечению определённого времени (см.тайминги) логика открывает защёлки и все байтики из буфера отправляются прямиком опять в глобальную матрицу, по-своим местам. Соответственно процессор будет вынужден ждать весь цикл по-новой. И это не проблема, если читается страница целиком с последовательными адресами. А если нужно читать адреса вразброс (условные/безусловные переходы в коде)?

Для таких случаев, лучше держать открытыми сразу несколько открытых страниц, для определения которых процессор имеет «Блок предсказания переходов» и предвыборку. Сейчас 4-линии CS#[0:3] на одном канале используются уже по-иному — каждая из них может активировать 1-ранк. Например, если модуль 2-ранковый, то ему выделяются линии контроллёра CS#[0:1]. На одном канале сейчас не может быть больше двух слотов памяти, с расчётом на DualRank. У второго канала свои линии CS#[0:3] и это точная ксерокопия первого.

Таким образом 1-канальный контроллёр может держать открытыми сразу 4 DRAM-страницы, и чередовать их по-требованию, что снижает холостые такты на «RAS-to-CAS-Latency». Стало проще — с одной страницы читаем, другую регенерируем, переключились на третью, и т.п. Но чего нельзя на одном канале, так-это читать сразу из двух ранков, хоть страницы в них и открыты. Выигрыш достигается только за счёт уменьшения задержек на открытие DRAM-страниц.

А вот 2-канальный контроллёр может без проблем читать параллельно, но только каждый свои ранки. Они полностью абстрагированы друг-от-друга, со-своими шинами и сигнальными линиями. Если имеется симметрия глобальной матрицы двух каналов, то за-такт читается сразу 128-бит данных. В сети можно встретить утверждения, что мол сейчас и в асимметричном режиме это стало возможным. Могу возразить, что это не так.

В 2-канальной асимметрии проц будет читать сразу по 128-бит, но только из промежуточного буфера контроллёра. То-есть по 128 он берёт в любом случае, но в первом (при равномерном распределении и одинаковой памяти), промежуточный буфер отключается.

Читать еще:  Том слишком велик для FAT32 что делать

Кратко об оперативной памяти: форм-факторы, частоты, тайминги

RAM — это кратковременная память вашего компьютера. Именно здесь ваш компьютер отслеживает программы и данные, которые вы используете прямо сейчас. Вы, наверное, уже знаете, что больше ОЗУ лучше, но, возможно, вы хотите установить больше ОЗУ сейчас.

Покупки для оперативной памяти могут быть запутанными, хотя. В чем разница между DDR3 и DDR4? DIMM и SO-DIMM? Есть ли разница между DRR3-1600 и PC3-12800? Важны ли задержка и время оперативной памяти?

Продолжайте читать для объяснений о различных видах RAM, как читать спецификации RAM, и как именно работает RAM.

Что такое оперативная память?

ОЗУ означает «Память с произвольным доступом». Он служит средним звеном между небольшим, сверхбыстрым кешем в вашем процессоре и большим, очень медленным хранилищем вашего жесткого диска или твердотельного накопителя (SSD). Ваша система использует оперативную память для временного хранения рабочих частей операционной системы и данных, которые ваши приложения активно используют. ОЗУ не является формой постоянного хранения.

Думайте о своем компьютере как о офисе. Жесткий диск — это шкаф в углу. Оперативная память похожа на всю офисную рабочую станцию, а кэш-память процессора — на рабочую область, где вы активно работаете с документом.

Чем больше оперативной памяти у вас есть, тем больше вещей вы можете иметь быстрый доступ в любое время. Точно так же, как большой стол может вместить на нем больше кусочков бумаги, не становясь грязным и громоздким (а также требуя больше поездок обратно в шкаф для реорганизации).

Однако, в отличие от офисного стола, ОЗУ не может выступать в качестве постоянного хранилища. Содержимое ОЗУ вашей системы теряется, как только вы выключаете питание. Потеря власти — это как чистка стола с каждого документа.

RAM обычно означает SDRAM

Когда люди говорят об оперативной памяти, они обычно говорят о синхронной динамической памяти (SDRAM) . SDRAM — это то, что обсуждается в этой статье. Для большинства настольных компьютеров и ноутбуков ОЗУ выглядит как флешка, которую можно вставить в материнскую плату.

К сожалению, для сверхтонких и легких ноутбуков наблюдается растущая тенденция к тому, чтобы оперативная память припаивалась к материнской плате непосредственно в целях экономии места. Тем не менее, это жертвует модернизацией и ремонтопригодностью.

Не путайте SDRAM с SRAM , что означает статическое ОЗУ. Статическая ОЗУ — это память, используемая для кэширования процессора, помимо прочего. Он намного быстрее, но также ограничен в своих возможностях, что делает его непригодным в качестве замены SDRAM. Крайне маловероятно, что вы встретите SRAM в общем использовании, поэтому вам не о чем беспокоиться.

Форм-факторы оперативной памяти

По большей части оперативная память бывает двух размеров: DIMM (Dual In-Line Memory Module), который используется в настольных ПК и серверах, и SO-DIMM (Small Outline DIMM), который используется в ноутбуках и других компьютерах малого форм-фактора.

Хотя оба форм-фактора ОЗУ используют одну и ту же технологию и работают одинаково, вы не можете смешивать их. Вы не можете просто вставить DIMM-флешку в слот SO-DIMM, и наоборот (контакты и слоты не совпадают!).

Когда вы покупаете RAM, первое, что нужно понять, это ее форм-фактор. Ничто не имеет значения, если палка не подходит!

Что означает DDR?

Оперативная память, используемая на вашем компьютере, работает с использованием двойной скорости передачи данных (DDR). Оперативная память DDR означает, что две передачи происходят за такт. Новые типы ОЗУ являются обновленными версиями той же технологии, поэтому модули ОЗУ имеют метки DDR, DDR2, DDR3 и т.д.

Хотя все поколения RAM имеют одинаковый физический размер и форму, они по-прежнему несовместимы . Вы не можете использовать оперативную память DDR3 в материнской плате, которая поддерживает только DDR2. Аналогично, DDR3 не подходит для слота DDR4. Чтобы избежать путаницы, каждое поколение ОЗУ имеет вырез в контактах в разных местах. Это означает, что вы не можете случайно перепутать ваши модули оперативной памяти или повредить материнскую плату, даже если вы покупаете неправильный тип.

DDR2

DDR2 — это самый старый вид оперативной памяти, с которым вы можете столкнуться сегодня. Он имеет 240 контактов (200 для SO-DIMM). DDR2 был хорошо и действительно заменен, но вы все равно можете купить его в ограниченном количестве, чтобы обновить старые машины. В противном случае DDR2 устареет.

DDR3

DDR3 был выпущен еще в 2007 году. Хотя он был официально заменен DDR4 в 2014 году, вы все равно найдете множество систем, использующих более старый стандарт RAM. Зачем? Потому что только в 2016 году (два года после запуска DDR4) системы с поддержкой DDR4 действительно набирали обороты. Кроме того, оперативная память DDR3 охватывает огромный диапазон процессоров: от сокета Intel LGA1366 до LGA1151, а также AMD AM3/AM3 + и FM1/2/2+. (Для Intel это от введения линейки Intel Core i7 в 2008 году до 7- го поколения Kaby Lake!)

Оперативная память DDR3 имеет такое же количество контактов, что и DDR2. Тем не менее, он работает с более низким напряжением и имеет более высокие тайминги (больше на таймингах оперативной памяти в данный момент), поэтому не совместимы. Кроме того, модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта по сравнению с 200 контактами DDR2.

DDR4

DDR4 появился на рынке в 2014 году, но еще не полностью контролировал рынок оперативной памяти. Длительный период исключительно высоких цен на оперативную память приостановил модернизацию многих пользователей. Но по мере снижения цен все больше людей переключаются, тем более что последние поколения процессоров AMD и Intel используют исключительно оперативную память DDR4. Это означает, что если вы хотите перейти на более мощный процессор, вам нужна новая материнская плата и новая оперативная память.

DDR4 еще больше понижает напряжение ОЗУ, с 1,5 В до 1,2 В, увеличивая число контактов до 288.

DDR5

DDR5 должен выйти на потребительские рынки в 2019 году. Но учитывая, сколько времени обычно занимает распространение нового поколения RAM, ожидайте услышать больше об этом в 2020 году. Производитель RAM, SK Hynix, ожидает, что DDR5 будет занимать 25% рынка в 2020 г. и 44% в 2021 г.

DDR5 продолжит дизайн с 288-контактным разъемом, хотя напряжение ОЗУ упадет до 1,1 В. Ожидается, что производительность оперативной памяти DDR5 удвоит самый быстрый стандарт предыдущего поколения DDR4. Например, SK Hynix раскрыл технические подробности модуля оперативной памяти DDR5-6400, максимально быстрый из всех возможных по стандарту DDR5.

Но, как и с любым новым компьютерным оборудованием, при запуске ожидайте чрезвычайно высокую цену. Кроме того, если вы подумываете о покупке новой материнской платы , не сосредотачивайтесь на DDR5 . Он пока недоступен, и, несмотря на то, что говорит SK Hynix, Intel и AMD потребуется некоторое время, чтобы подготовиться.

RAM термины: тайминги, задержка и многое другое

Вы познакомились с SDRAM, DIMM и DDR. Но как насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется ОЗУ? А что насчет ECC и Swap? Вот другие термины спецификации RAM, которые вы должны знать.

Тактовая частота, передача, пропускная способность
Возможно, вы видели ОЗУ, на которую ссылаются два набора чисел, например, DDR3-1600 и PC3-12800. Это и ссылка, и ссылка на генерацию оперативной памяти и ее скорость передачи . Число после DDR / PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — это PC2, DDR3 — это PC3, DDR4 — это PC4.

Число, соединенное после DDR, относится к числу мегатрансферов в секунду (МТ/с). Например, оперативная память DDR3-1600 работает на скорости 1600 МТ/с. ОЗУ DDR5-6400, о котором говорилось выше, будет работать со скоростью 6400 МТ/с — намного быстрее! Число в паре после ПК относится к теоретической пропускной способности в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12 800 МБ/с.

Разгон ОЗУ возможен так же, как разгон процессора или видеокарты. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту RAM!

Вы можете быть удивлены, можете ли вы смешивать модули оперативной памяти с разными тактовыми частотами. Ответ в том, что да, вы можете, но все они будут работать на тактовой частоте самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми, более медленными модулями. Теоретически вы можете смешивать бренды RAM, но это не рекомендуется. У вас больше шансов встретить синий экран смерти или других случайных сбоев, когда вы смешиваете марки RAM или разные тактовые частоты RAM.

Тайминг и задержка

Иногда вы увидите модули оперативной памяти с рядом цифр, например, 9-10-9-27. Эти цифры называются таймингами. Синхронизация ОЗУ — это измерение производительности модуля ОЗУ в наносекундах. Чем ниже цифры, тем быстрее ОЗУ реагирует на запросы.

Первое число (в примере 9) — это задержка CAS. Задержка CAS относится к числу тактовых циклов, необходимых для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Вы можете заметить, что DDR3 RAM обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR3. Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, который быстрее, чем DDR2. Странно, правда?

Мы можем объяснить это, используя DDR3 и DDR4 в качестве примеров.

Минимальная частота работы ОЗУ DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовую частоту 1/533000000 или 1,87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. («Нс» означает наносекунды.)

Принимая во внимание, что самая низкая скорость ОЗУ DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовую частоту 1/800000000, или 1,25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS из 9 циклов, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс. Вот почему это быстрее!

Для большинства людей пропускная способность всегда превосходит тактовую частоту и задержку . Вы получите гораздо больше преимуществ от 16 ГБ ОЗУ DDR4-1600, чем от 8 ГБ ОЗУ DDR4-2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними пунктами рассмотрения.

ECC

ОЗУ с исправлением ошибок (ECC) — это особый тип модуля памяти, который предназначен для обнаружения и исправления повреждения данных. ECC ram используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут быть катастрофическими. Например, личная или финансовая информация хранится в оперативной памяти при манипулировании связанной базой данных.

Бытовые материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ECC-совместимую оперативную память. Если вы не создаете сервер, который специально требует ОЗУ ECC, вы должны держаться подальше от него.

Сколько оперативной памяти вам нужно?

Давно прошли те времена, когда «640K должно хватить на всех». В мире, где смартфоны регулярно поставляются с 4 ГБ ОЗУ или более, а браузеры, такие как Google Chrome, играют быстро и свободно со своим распределением памяти, экономность ОЗУ — вещь прошлое. Средний объем установленной оперативной памяти также увеличивается на всех типах оборудования.

Для большинства людей 4 ГБ — это минимальный объем оперативной памяти, необходимый для компьютера общего пользования. Операционные системы тоже имеют разные спецификации. Например, вы можете запустить Windows 10 только на 1 ГБ ОЗУ, но ваш пользовательский опыт будет вялым. И наоборот, многочисленные дистрибутивы Linux работают очень хорошо с меньшими объемами оперативной памяти.

Если вы обнаружите, что одновременно открыты шесть документов Word, не можете заставить себя закрыть эти 60 вкладок в Google Chrome, возможно, вам понадобится как минимум 8 ГБ ОЗУ. То же самое происходит, если вы хотите использовать виртуальную машину.

16 ГБ ОЗУ должно превышать потребности большинства. Но если вы продолжите работу утилит в фоновом режиме, с множеством вкладок браузера и всего остального, вы по достоинству оцените дополнительную емкость ОЗУ. Очень немногие люди нуждаются в 32 ГБ ОЗУ, но, как говорится, чем больше, тем больше.

Обновление ОЗУ, безусловно, является одним из самых простых способов мгновенного повышения производительности. максимально повысить производительность.

Понимание об оперативной памяти

Теперь вы знаете разницу между оперативной памятью DDR2, DDR3 и DDR4. Вы можете сказать DIMM от SO-DIMM, и вы знаете, как определить RAM с более высокими скоростями передачи и более высокой пропускной способностью. На этом этапе вы, по сути, являетесь экспертом в области ОЗУ, поэтому в следующий раз вы не будете испытывать перегрузку, пытаясь купить больше ОЗУ или совершенно новую систему.

Действительно, если у вас правильный форм-фактор и соответствующее поколение ОЗУ, вы не ошибетесь. И если есть сомнения, больше ОЗУ лучше, чем быстрее ОЗУ важнее.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector